| مكان المنشأ: | الصين |
|---|---|
| اسم العلامة التجارية: | RFan |
| إصدار الشهادات: | UL |
| رقم الموديل: | MX5069 |
| الحد الأدنى لكمية: | 3000 |
| الأسعار: | negotiable |
| وقت التسليم: | 2-4 أسابيع |
| شروط الدفع: | L/C، D/A، D/P، T/T، Western Union، MoneyGram |
| عكس حماية قطبية: | نعم.. | المصنع: | العديد من الشركات المصنعة |
|---|---|---|---|
| حماية التيار الزائد: | نعم.. | نطاق درجة حرارة العمل: | -40 درجة مئوية إلى + 125 درجة مئوية |
| الحماية من الفولت الزائد: | نعم.. | نوع الحزمة: | جبل السطح |
| حماية ماس كهربائى: | نعم.. | ||
| إبراز: | مصدر إلكتروني 24 فولت,فيوز إلكتروني,الصمامات الإلكترونية قابلة للتعديل,E-Fuse Electronic Fuse,Adjustable Overvoltage Protection Electronic Fuse |
||
عائلة MX25947 من الصمامات الإلكترونية هي حلول حماية الدوائر المتكاملة للغاية وإدارة الطاقة في حزم صغيرة.يستخدم الجهاز عدد قليل جدا من المكونات الخارجية ويقدم أوضاع حماية متعددةفهي فعالة ضد الحمل الزائد، والدائرة القصيرة، وارتفاعات في الجهد، والتيارات الإندفاعية المفرطة والتيارات العكسية. يمكن برمجة مستوى الحد الحالي بمقاومة خارجية.الدائرة الداخلية سوف تغلق FET الداخلية لحماية الإفراط في الجهديمكن للتطبيقات التي تتطلب متطلبات خاصة للجهد استخدام مكثف واحد لبرمجة dVdT لضمان معدل المخرج المناسب.
الخصائص
* نطاق فولتاج المدخلات التشغيلية VIN: 4.5V ~ 24V
* ترانزستور تأثير المجال المدمج 28mΩ على MOS * 1.34 فولت مرجعية لحماية الإفراط في الجهد
* 1A إلى 5A الحد الأقصى للتيار القابل للتعديل
* معدل OUT قابل للبرمجة ، قفل انخفاض الجهد (UVLO)
* إيقاف الحرارة المدمج
* 10 دبوس DFN3*3 و ESOP8L
التطبيقات
• أجهزة تعمل بالمعدي
• أجهزة القرص الصلب (HDD) وأجهزة القرص الصلب (SSD)
• علبة القائمة
• طاقة الخادم / المساعد (AUX)
• تحكم المروحة
• بطاقات PCI/PCIe
معلومات الطلب
| رقم الجزء | الوصف |
| MX25947D33 | DFN3*3-10L |
| MX25947ES | إيسوب-8L |
| MPQ | 3000 قطعة |
تبديد الحزمةتينغ
| الحزمة | RθJA (°C/W) |
| DFN3*3-10L | 50 |
| إيسوب-8L | 60 |
الدرجات القصوى المطلقة
| المعلم | القيمة |
| رقم السيارة | -0.3 إلى 30 فولت |
| رقم VIN (10 ms عابر) | 33 فولت ((ماكس) |
| خارج | -0.3 إلى VIN + 0.3 |
| (إي أو تي) | 5A |
| ILIM ، EN / UVLO ، DVDT | -0.3 فولت إلى 7 فولت |
| BFET | -0.3 فولت إلى 40 فولت |
| درجة حرارة التقاطع | 150 درجة مئوية |
| درجة حرارة التخزين، Tstg | -55 إلى 150 درجة مئوية |
| درجة الحرارة المطلوبة (الحرار، 10 ثانية) | 260 درجة مئوية |
| حساسية ESD HBM | ± 2000 فولت |
الضغوطات التي تتجاوز تلك المذكورة في القيم القصوى المطلقة قد تسبب تلفًا دائمًا في الجهاز. قد يؤثر التعرض لظروف القيم القصوى المطلقة لفترات طويلة على الموثوقية.لا ينطوي العمل الوظيفي للجهاز في أي ظروف تتجاوز ظروف التشغيل الموصى بها.
ظروف التشغيل الموصى بهاالتشغيل
| الرمز | النطاق |
| رقم السيارة | 4.5 فولت إلى 24 فولت |
| dVdT ، EN / UVLO ، OVP | 0 فولت إلى 6 فولت |
| الـ ILIM | 0V إلى 3V |
| (إي أو تي) | 0A إلى 4A |
| درجة حرارة البيئة | -40~85 درجة مئوية |
| درجة حرارة العمل | -40~125 درجة مئوية |
المحطة المهام
| رقم التعريف | الاسم | الوصف | |
| DFN3*3 | برنامج التدريب الإلكتروني | ||
| 1 | 5 | dVdT | ربط مكثف من هذا Pinto GND للسيطرة على معدل المنحدر من OUT عند تشغيل الجهاز. |
|
2 |
6 |
EN/UVLO |
هذا دبوس تحكم مزدوج الوظائف عندما يستخدم كدبوس إينابل و يسحب إلى أسفل فإنه يغلق الممر الداخلي للموسفيت كـ UVLOpin ، يمكن استخدامه لبرمجة نقطة UVLOtrip مختلفة عبر مقسم المقاومة الخارجي. |
| 3 ~ 5 | 7 ,8 | رقم السيارة | فولتاج إمدادات المدخل |
| 6 ~ 8 | 1 ,2 | خارج | إنتاج الجهاز |
| 9 | 3 | الـ ILIM | المقاومة من هذا Pinto GND ستحدد الحد الأقصى من الحمل الزائد والقطر القصير. |
| 10 | 4 | OVP | حماية خارجية من الجهد عبر قسم المقاومة. الجهد المرجعي هو 1.34 فولت (عادة). |
| وسادة حرارية | الـ GND | الأرض | |
الطابع الكهربائيالتأثيرات
(VIN=12V، VEN/UVLO=2V، RILIM = 100kΩ، CdVdT = OPEN. TA=25°C، ما لم يذكر خلاف ذلك)
| الرمز | المعلم | حالة الاختبار | دقيقة | -أجل. | ماكس | الوحدة |
| رقم شفرة السيارة | ||||||
| (فيوفو) | عتبة UVLO، ترتفع | 4.0 | 4.2 | 4.5 | V | |
| عتبة UVLO ، انخفاض | 3.8 | 4.0 | 4.3 | V | ||
| IQON | تيار التوريد | تم تشغيلها: EN/UVLO = 2V | 0.5 | 0.6 | 0.7 | mA |
| IQOFF | EN/UVLO = 0V | 0.10 | 0.18 | 0.25 | ||
| EN/UVLO | ||||||
| VENR | EN الجهد الحد الأدنى، يرتفع | 1.30 | 1.34 | 1.38 | V | |
| VENF | حدّة الجهد، هبوط | 1.25 | 1.30 | 1.35 | V | |
| IEN | EN تيار تسرب المدخل | 0V ≤ VEN ≤ 5V | -100 | 0 | 100 | nA |
| dVdT | ||||||
| IDVdT | dVdT تيار الشحن | 0.2 | μA | |||
| RdVdT_disch | dVdT مقاومة التفريغ | 60 | 80 | 100 | Ω | |
| VdVdTmax | dVdT الجهد القصوى للمكثف | 5.5 | V | |||
| (غيندفيديت) | dVdT إلى مكاسب OUT | 4.85 | V/V | |||
| الـ ILIM | ||||||
| إيليم | التيار الحالي ILIM | 0.5 | μA | |||
|
IOL |
الحد الأقصى للجهد الحالي |
RILIM = 4.3kΩ ، VVIN-OUT = 1V | 4.6 | 5 | 5.6 | أ |
| RILIM = 10kΩ ، VVIN-OUT = 1V | 2.5 | 3.0 | 3.5 | أ | ||
| RILIM = 51kΩ ، VVIN-OUT = 1V | 1.0 | 1.5 | 2.0 | أ | ||
| RILIM = 100kΩ ، VVIN-OUT = 1V | 0.8 | 1.0 | 1.5 | أ | ||
| IOLRقصيرة | الحد الأقصى للجهد الحالي | RILIM = 0Ω، الحد الأقصى لمتجه المقاوم | 1.8 | أ | ||
| الرمز | المعلم | حالة الاختبار | دقيقة | -أجل. | ماكس | الوحدة |
| IOL-R-فتح | الحد الأقصى للجهد الحالي | RILIM = مفتوح، المقاومة مفتوحة الحد الأقصى للتيار | 1.6 | أ | ||
|
الـ ISCL |
الحد الأقصى للتيار الدائري |
RILIM = 5kΩ ، VVIN-OUT = 12V | 4.0 | 4.25 | 4.5 |
أ |
| RILIM = 10kΩ ، VVIN-OUT = 12V | 2.76 | 2.88 | 3.0 | |||
| RILIM = 51kΩ ، VVIN-OUT = 12V | 1.06 | 1.14 | 1.22 | |||
| RILIM = 100kΩ ، VVIN-OUT = 12V | 0.86 | 0.94 | 1.0 | |||
| النسبة | الحد الأقصى لتحمل التيار الحالي لمستوى مقارنة Fast-Trip | (إيفاستريب) | 160 | % | ||
| فوبينيليم | ILIM فتح المقاومة الكشف عن عتبة | (فيليم) يرتفع، (ريليم) = مفتوح | 3.2 | V | ||
| RDS (مشغلة) | FET على المقاومة | 21 | 28 | 37 | mΩ | |
| الـ IOUT-OFF-LKG | OUT التيار الانحيازي في الحالة المغلقة | VEN/UVLO = 0V، VOUT = 0V (المصدر) | 3 | μA | ||
| إيقاف الغسل | VEN/UVLO = 0V، VOUT = 300mV (الغوص) | 10 | μA | |||
| OVP | ||||||
| VREF_OVP | عتبة OVP الخارجية | ارتفاع في الناتج المحلي | 1.30 | 1.34 | 1.38 | V |
| VOVPF | هيستريسيس OVP | 1.25 | 1.30 | 1.35 | V | |
| TSD | ||||||
| TSHDN | عتبة TSD ، في الارتفاع | 131 | °C | |||
| (تشيد) | التهاب النسيج | -15 | °C | |||
| متطلبات التوقيت | ||||||
| طن | تأخير التشغيل | EN/UVLO → H إلى IIN = 100mA ، حمل مقاوم 1A عند OUT | 900 | μs | ||
| بكل تأكيد | إيقاف التأخير | 20 | μs | |||
| dVdT | ||||||
| tdVdT |
وقت المنحدر |
EN/UVLO → H إلى OUT = 11.7V ، CdVdT = 0 | 1 | ms | ||
| EN/UVLO → H إلى OUT = 11.7V ، CdVdT = 1nF | 10 | ms | ||||
| الـ ILIM | ||||||
| بسرعة | تأخير مقارنة Fast-Trip | IOUT > IFASTRIP إلى IOUT= 0 (إيقاف تشغيل) | 350 | ns | ||
